砷化镓题材概念板块

砷化镓	题材类型：20171212 题材时间：用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。
砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料

砷化镓

题材类型：20171212 题材时间：用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。此外，还可以用于制作转移器件──体效应器件。

砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料

砷化镓股票一览表

序号	股票名称	关联度	详情
1	300123 亚光科技	☆☆☆	公司有砷化镓射频芯片及元器件
2	002023 海特高新	☆☆☆	公司旗下的海威华芯海已达到砷化镓2000片/月
3	600703 三安光电	☆☆☆	公司主要从事Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的研发与应用
4	300102 乾照光电	☆☆☆	公司年产6英寸砷化镓晶片100万片
5	300346 南大光电	☆☆☆	公司研发的砷烷、磷烷是砷化镓半导体的必备材料
6	002428 云南锗业	☆☆☆	公司有非锗半导体材料级产品涉及砷化镓单晶片产品
7	600206 有研新材	☆☆☆	公司砷化镓主要应用于长寿命、高稳定的发光二极管领域
8	605358 立昂微	☆☆	公司子公司立昂东芯正在投资建设年产12万片6英寸第二代半导体射频集成电路芯片项目，其中第一期将建设年产6万片6英寸砷化镓芯片生产线，第二期建设年产6万片6英寸砷化镓芯片生产线。

*注：只显示前200个关联度最高的股票。

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