| 公司简介 | 2020年9月15日，东微有限召开股东会，同意将公司整体变更为股份有限公司，股份有限公司名称为“苏州东微半导体股份有限公司”，公司现有全体股东为股份有限公司发起人；同意以2020年8月31日为基准日，协调中介机构开展相关审计与资产评估工作。2020年10月25日，天健出具“天健审〔2020〕9923号”《审计报告》，确认截至2020年8月31日，公司净资产的审计值为248,683,212.28元。2020年10月25日，江苏中企华中天资产评估有限公司出具“苏中资评报字〔2020〕第2071号”《资产评估报告》，根据该评估报告，截至2020年8月31日，公司净资产的评估值为252,350,375.56元。该评估结果已提交苏州工业园区国有资产监督管理办公室备案，并取得了《国有资产评估项目备案表》。2020年10月25日，东微有限召开股东会，同意以截至2020年8月31日的经审计净资产值248,683,212.28元中的4,758.2182万元按股东出资比例分配并折合为变更后的股份公司的注册资本，分为47,582,182股，每股面值人民币1元。超出股本部分的净资产201,101,030.28元作为股本溢价，计入股份公司资本公积。同日，公司全体股东暨股份公司全体发起人签署《关于变更设立苏州东微半导体股份有限公司之发起人协议》。2020年11月10日，东微有限召开创立大会暨第一次临时股东大会，审议《关于创立苏州东微半导体股份有限公司的议案》《苏州东微半导体股份有限公司章程》《关于选举公司第一届董事会董事的议案》《关于选举公司第一届监事会监事的议案》等议案。2020年10月31日，天健对东微有限整体变更设立为股份有限公司的出资情况进行了审验，并出具“天健验〔2020〕562号”《验资报告》，确认截至2020年10月26日，公司已收到全体股东拥有的东微有限截至2020年8月31日经审计的净资产248,683,212.28元，折合股份47,582,182股。2020年11月27日，江苏省市场监管局向公司核发变更后的《营业执照》。统一社会信用代码为：91320594680506522G。 |
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| 产品业务 | 公司的主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET。公司的产品广泛应用于以新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源为代表的工业级应用领域，以及以PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器为代表的消费电子应用领域。同时，公司不断进行技术创新，进一步开发了超级硅MOSFET、TGBT等新产品。 |
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| 经营模式 | 公司作为专业的半导体功率器件设计及研发企业，自成立以来始终采用Fabless的经营模式。Fabless模式指无晶圆厂模式，采用该模式的企业专注于芯片的研发设计与销售，将晶圆制造、封装、测试等生产环节外包给第三方晶圆制造和封装测试企业完成。结合行业惯例和客户需求情况，公司目前采用“经销加直销”的销售模式。 |
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| 行业地位 | 国内高性能功率半导体领域的佼佼者 |
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| 核心竞争力 | （1）作为国内领先的高性能功率器件设计厂商，受益于行业发展与国产替代机遇
公司是国内领先的高性能功率器件厂商，在全球MOSFET功率器件市场份额中位列中国本土企业前十。公司目前已积累了知名的国内外客户群，产品及方案被各终端应用领域广泛应用，市场认可度逐渐提高。
（2）强大的研发能力，保证公司产品性能国内领先
公司一直以来高度重视技术团队的建设，已建立起了完善的研发团队及体系。截至2021年6月30日，公司研发部共拥有31名研发人员，合计占员工总数比例为46%。公司的核心技术人员均在功率半导体领域耕耘超过十年，具有丰富的研发经验，并对行业未来的技术发展趋势具有前瞻性的创新能力。完整的研发团队及体系与持续的研发投入使得公司成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一。
（3）丰富的产品规格，满足不同应用场景的需求
功率器件的产品规格丰富，不同规格的产品被应用于不同的应用场景。公司已自主研发了逾900种高压MOSFET产品型号并覆盖500V-950V区间的工作电压；以及逾500种中低压MOSFET产品型号，覆盖25V-150V区间的工作电压。此外，公司自主研发了多个系列的TGBT产品系列。
（4）作为国内高性能功率器件的优质供货商之一，拥有强大的全球终端客户基础
凭借优异的技术实力、产业链深度结合能力和客户创新服务能力，公司已经与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领域尤其是工业级应用领域中，公司的产品获得了众多知名企业的认可，成为了该等客户的少数国内供应商之一。
（5）稳定的供应商关系提供产能保障，在特殊工艺方面持续技术合作
公司与行业上游的晶圆制造厂商、封装测试厂商等供应商建立了长期稳定的业务合作关系与高效的联动机制。
（6）经验丰富的管理团队
公司联合创始人拥有多年的半导体行业经验，尤其是在功率半导体领域拥有着国际一流的视野与技术创新能力。 |
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| 经营指标 | 报告期内，公司逐步扩大生产规模，产量呈不断提高的趋势；同时，随着公司与既有客户的合作关系日趋稳固，以及公司不断打开新的市场，产品销量同步呈不断提高的趋势。整体而言，报告期内，公司主要产品高压超级结MOSFET及中低压屏蔽栅MOSFET的产销率较高，均超过90%。
报告期内，公司根据需求也向客户销售晶圆形态的产品。2018年度、2019年度、2020年度和2021年1-6月，公司高压超级结MOSFET产品的晶圆销量分别为3,987片、2,161片、2,628片和2,960片，中低压屏蔽栅MOSFET的晶圆销量分别为4,929片、8,919片、12,865片和12,764片，超级硅MOSFET产品和TGBT产品不存在销售晶圆的情况。报告期内公司整体晶圆形态的产品销售占比较小。
2021上半年度，公司实现了IGBT产品的量产与销售，产量为18.98万颗，销量为2.52万颗，产销率为13.28%，产销率较低主要系产品初步实现量产，公司仍在不断拓展销售渠道所致。 |
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| 竞争对手 | 英飞凌（Infineon）、安森美（ON Semiconductor）、意法半导体（ST Microelectronics）、瑞萨电子（Renesas Electronics）、日本东芝（Toshiba）、华润微（688396）、扬杰科技（300373）、华微电子（600360）、新洁能（605111）、士兰微（600460）。 |
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| 品牌/专利/经营权 | 截至2021年6月30日，公司已获授权的专利53项，包括境内专利38项，其中发明专利37项、实用新型专利1项，以及境外专利15项。 |
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| 投资逻辑 | 公司已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一。 |
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| 消费群体 | 新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等。 |
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| 消费市场 | 境内、境外 |
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| 行业竞争格局 | 1、高压超级结细分市场竞争格局
与MOSFET器件的整体竞争格局相似，高压超级结细分市场主要被海外厂商占据，包括英飞凌（Infineon）、德州仪器（Texas Instruments）、安森美（ON Semiconductor）、意法半导体（STMicroelectronics）等国际功率半导体厂商占据了主要的市场份额。因此，在高压超级结细分市场中，中国厂商仍处于追赶阶段，市场份额占比较小。
根据Omdia，公司2020年实现的高压超级结与超级硅产品合计的销售收入约为2.5亿元，占全球高压超级结市场的份额为3.8%，占中国高压超级结市场的份额经估算约为8.6%。
同时根据公开数据查询，同样实现高压超级结产品销售并披露销售数据的公司包括新洁能以及龙腾半导体。新洁能2019年度实现1.2亿元的高压超级结产品的销售，在2019年全球高压超级结MOSFET的市场占有率为1.7%，在2019年中国高压超级结MOSFET的市场占有率经估算约为3.8%。龙腾半导体2020年度实现0.5亿元的高压超级结产品销售，在2020年全球高压超级结MOSFET的市场占有率为0.7%，在2020年中国高压超级结MOSFET的市场占有率经估算约为1.6%。与新洁能以及龙腾相比，公司更加专注于高压超级结MOSFET产品，在此细分市场占有率方面具有一定的优势。
2、中低压MOSFET细分市场竞争格局
公司2020年度中低压屏蔽栅产品的销售收入0.6亿元，约占2020年全球中低压MOSFET产品市场规模的0.2%，占2020年中国中低压MOSFET产品市场规模的0.4%。同时根据公开数据查询，2019年，新洁能实现1.8亿元的中低压屏蔽栅产品销售，约占2019年全球中低压MOSFET产品市场的0.5%，占2019年中国中低压MOSFET产品市场的1.1%。公司在中低压MOSFET市场的占有率较小，主要系公司前期专注于高压MOSFET领域，来自中低压MOSFET的销售收入较少所致。2021年上半年度，公司中低压屏蔽栅产品的销售收入达到8,006.71万元，同比增长292.2%，实现了销售收入的大幅增长，预计市场份额能够有进一步的提升。 |
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| 行业发展趋势 | 1）工艺进步、器件结构改进所带来的变化
采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能，从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进，当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时，就会对现有的功率MOSFET进行替代。同时，随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升，也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此，高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围，实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言，沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET；屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET；超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。
2）第三代半导体材料功率器件的替代趋势
第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓，具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点，在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先，由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加，第三代半导体的产业化变得更加迫切。得益于SiC MOSFET在高温下更好的表现，SiC MOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段，国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展，例如2019年国务院发布《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》，提出要加快培育一批第三代半导体企业。
3）功率器件集成化趋势
除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外，终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用场景中，客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联，同时要考虑高温失效和散热问题，其封装工艺和结构更复杂；在小功率应用场景中，功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前，工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起，功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测，2020-2024年分立器件市场增速为2.8%，而功率模块市场增速为9.2%，高于分立器件市场增速。 |
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| 行业政策法规 | 《中国制造2025》、《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》（2016版）、《国务院办公厅关于深化产教融合的若干意见》、《关于集成电路生产企业有关企业所得税政策问题的通知》、《关于集成电路设计和软件产业企业所得税政策的公告》、《产业结构调整指导目录（2019年本）》、《国家信息化发展战略纲要》、《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》、《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》、《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》。 |
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| 公司发展战略 | 公司始终专注于工业及汽车相关等中大功率应用领域，是少数具备从专利到产品量产完整经验的功率器件设计公司。公司领先的功率器件和工艺创新能力已在工业级高压超级结MOSFET产品和中低压MOSFET器件产品领域得到了充分的验证。未来，公司将持续聚焦创新型高性能功率半导体产品，致力于成为国际领先的功率半导体厂商。 |
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| 公司经营计划 | 1、进一步完善公司治理和规范运作水平
公司将严格依照《公司法》《证券法》等有关法律、法规的要求完善公司的治理结构，提升公司规范运作水平，提高经营管理决策的科学性、合理性、合规性和有效性，提升公司的治理和规范运作水平，为公司业务目标的实现奠定基础。
2、加强研发技术力量和人才队伍建设
公司注重研发技术力量的培养和人才队伍的建设。公司将根据市场需求，以引进人才和培养人才为基础，进一步完善公司研发和技术力量建设体系，建立并完善技术创新体系，提升公司技术水平、生产经营效率，提高服务客户和开拓市场能力。使得人才队伍建设、研发技术力量建设、公司经营效率提高形成良性循环，最终实现业绩的增长及公司发展规划。
3、充分发挥募集资金和资本平台的作用
公司对本次的募集资金运用做了充分的论证，公司将结合业务发展目标、市场环境变化、公司业务技术特点，审慎推进募集资金的使用，充分发挥募集资金的作用。同时，公司将充分利用上市后的资本平台，增强公司的行业地位和竞争优势。 |
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| 公司资金需求 | 超级结与屏蔽栅功率器件产品升级及产业化项目、新结构功率器件研发及产业化项目、研发工程中心建设项目、科技与发展储备资金。 |
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| 可能面对风险 | 一、技术风险：
（一）新产品研发不及预期的风险；（二）技术升级迭代的风险；（三）技术泄密的风险
二、经营风险：
（一）市场竞争风险；（二）供应商集中度较高的风险；（三）下游需求波动的风险；（四）产品结构较为单一的风险；（五）产业政策变化的风险；（六）国际贸易摩擦的风险；（七）供应链管理风险；（八）新型冠状病毒疫情持续风险
三、管理风险：
（一）人员规模相对较小的风险；（二）关键技术人员流失、顶尖技术人才不足的风险
四、财务风险：
（一）毛利率波动的风险；（二）关联交易增加的风险；（三）经销商管理不善的风险；（四）应收账款增加的风险；（五）无法持续取得税收优惠的风险；（六）存货减值的风险
五、法律风险：
知识产权相关风险
六、本次发行失败的风险
七、与募集资金运用相关的风险 |
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