| 公司简介 | 2019年4月28日，东芯有限通过股东会决议，同意有限公司整体变更为股份公司。2019年5月16日，经发行人创立大会暨2019年第一次临时股东大会全体发起人一致同意，东芯半导体各发起人以东芯有限截至2018年10月31日经审计的净资产333,332,476.34元折合注册资本（实收资本）280,701,755元，剩余52,630,721.34元计入资本公积。2019年6月26日，上海市市场监督管理局核发了变更后的《营业执照》。统一社会信用代码为91310000321645096N。 |
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| 产品业务 | 公司聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，是中国大陆少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案的公司，并能为优质客户提供芯片定制开发服务。凭借强大的研发设计能力和自主清晰的知识产权，公司搭建了稳定可靠的供应链体系，设计研发的24nmNAND、48nmNOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程，已达到可量产水平，实现了国内闪存芯片的技术突破。 |
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| 经营模式 | 1、盈利模式
公司采用Fabless经营模式，主要从事NAND、NOR、DRAM等存储芯片的研发、设计和销售，同时可为客户提供存储芯片完整解决方案与定制开发服务。
2、采购模式和生产模式
生产运营部根据市场部提出的需求计划，基于对于未来市场情况的研判，结合公司存货状态，形成生产计划并向晶圆代工厂下达生产订单。
3、销售模式
公司产品销售采用“经销、直销相结合”的销售模式。
4、研发模式
产品设计与研发属于公司的核心经营环节，由市场部、研发部、生产运营部等多个部门协同参与。 |
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| 行业地位 | 中国大陆领先的存储芯片设计公司 |
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| 核心竞争力 | （1）完善的研发体系
公司建立了以研发部为核心，多部门协同参与的研发体系，以市场实际需求为导向，结合技术动态、工艺特点、用户反馈、竞品情况等，形成最优的产品开发方案。
公司基于研发团队多年对电路设计、工艺制造、封装测试等环节从业经历与经验，匹配对应的技术分析并将分析结果上传本地数据库，建立了可查询、可比对的产品研发平台，实现了研发资源的高效共享，缩短产品从设计到量产的研发周期。
在研发平台系统下，公司根据不同产线与制程的工艺特点，通过大量数据分析及模拟验证，总结了不同工艺制程下产品设计的技术要点，建立了针对不同工艺制程的设计模块，为后续产品迅速迭代及平台工艺演进打下坚实基础。
（2）稳定可靠的供应链体系
公司作为Fabless设计公司，注重建立稳定可靠的供应链体系，与国内外多家知名晶圆代工厂、封测厂建立互助、互利、互信的合作关系，积累了丰富的供应链管理经验，有效保证了供应链运转效率和产品质量，打造了具有“本土深度、全球广度”的供应链体系。
公司已经与大陆最大的晶圆代工厂中芯国际建立战略合作关系，在工艺调试设计、产品开发、晶圆测试优化等全流程各环节形成了良好的交流与合作。双方在高可靠性、低功耗存储芯片的特色工艺平台上展开连续多年的深度技术合作，研发了多种闪存芯片的标准工艺，提高了晶圆的产品良率和生产效率，继共同开发大陆第一条NANDFlash工艺产线后，目前已将NANDFlash工艺制程推进至24nm。公司与全球最大的存储芯片代工厂力积电建立了多年的紧密合作，在其多条存储芯片先进制程的生产线上实现了产品的稳定量产，进一步扩充了产品种类，提升了公司市场竞争力。
在封装测试方面，公司已经与紫光宏茂、华润安盛、南茂科技、ATSemicon等境内外知名封测厂建立稳定的合作关系。
（3）广泛的平台认证和高效灵活服务体系
公司与多家主控芯片平台厂商构建了生态合作，通过产品在平台厂商验证的方式，不仅提升公司存储产品性能和质量在行业内的认可程度，还有助于缩短公司产品在终端客户的导入时间。公司的多款产品已经获得了高通、博通、联发科和紫光展锐等多家主流厂商的验证认可，形成了广泛的产品导入渠道，在很大程度上缩短了产品的验证周期，实现多类产品的销售协同。
公司致力于为客户提供高效、优质的服务。一般情况下，客户需要进行烧录、板级测试、老化测试等步骤来使用公司产品，为确保产品的正常使用，公司搭建了高效服务体系，建立了专业的技术支持团队即时响应客户的服务需求，为客户有效运用公司产品提供了有力的保障。
（4）经验丰富的人才团队
集成电路设计属于技术密集型行业，人才是集成电路设计企业研发能力不断升级的基石。公司高度重视半导体领域尤其是研发和管理领域人才的培养，积极引进来自存储芯片先进产业地区和企业任职多年的资深人才，建立了经验丰富、底蕴深厚的人才团队。
（5）自主清晰的知识产权
知识产权作为集成电路设计的关键性技术成果，不仅是公司设计研发能力的重要体现，也是推动公司技术创新发展、产品迭代升级的重要基础。公司高度重视知识产权的自主性与完整性，经过多年持续不断的研发和创新，拥有多项发明专利，相关专利自主完整、权属清晰。截至本招股意向书签署之日，公司共拥有覆盖主流存储芯片的境内外发明专利82项，为公司强大的技术升级和产品研发能力奠定了坚实基础。 |
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| 竞争对手 | 兆易创新、芯天下、复旦微、紫光国微、芯成半导体。 |
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| 品牌/专利/经营权 | 截至本招股意向书签署之日，公司拥有境内外专利82项。 |
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| 投资逻辑 | 中国大陆少数能同时提供NANDFlash、NORFlash及DRAM产品并在中小容量闪存芯片市场与全球同行业知名公司直接竞争并突破海外技术垄断的公司之一。 |
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| 消费群体 | 通讯设备、安防监控、可穿戴设备、移动终端等工业领域及消费电子领域。 |
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| 消费市场 | 大中华地区、非大中华地区 |
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| 行业竞争格局 | （1）存储器总体市场竞争格局
存储芯片是应用面最广、市场比例最高的集成电路基础性产品之一。根据ICInsights统计推算，2019年存储芯片市场规模约为1150亿美元，其中国外厂商凭借先发优势以及在终端市场的品牌优势，占据了大部分的市场份额，行业头部厂商三星电子、美光科技、海力士、铠侠、西部数据等已经在各自专注的大容量存储产品领域形成了寡头垄断的竞争格局。
近年来，随着应用场景的不断扩展，如通讯设备、汽车电子、物联网、可穿戴设备和工业控制等新兴应用的出现，下游市场对具备高可靠性、低功耗等特点的中小容量存储芯片需求也持续上升。
（2）中小容量细分市场的竞争格局
根据Gartner数据统计，2019年SLCNAND全球市场规模达到16.71亿美元，预计在原有刚性需求的支撑和下游不断出现的新兴应用领域的影响下，2019年至2024年SLCNAND全球市场份额预计复合增长率将达到6%，国外行业龙头三星电子、铠侠和台湾IDM模式厂商华邦电子、旺宏电子占据了较高的市场份额，公司主要竞争对手包括兆易创新、芯天下、复旦微等。
由于近年来DRAM、NANDFlash需求爆发，国际存储器龙头陆续将产能转出中小容量NORFlash市场，聚焦于高毛利的大容量NORFlash，或转向DRAM和NANDFlash业务。目前整个NORFlash市场已逐渐形成了华邦电子、旺宏电子、兆易创新、赛普拉斯等多强竞争的格局，其为行业龙头。
中小容量DRAM产品主要应用于利基型市场，根据DRAMeXchange数据统计，2019年全球利基型DRAM市场规模约为55亿美元，未来随着下游应用领域的稳定发展，利基型DRAM市场规模将继续保持增长趋势。目前国内市场的主要竞争对手包括紫光国微、芯成半导体等，行业龙头为南亚科技。 |
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| 行业发展趋势 | （1）工艺不断精进，设计制造环节加深产业联动
集成电路制造技术的先进与否直接决定了存储芯片的成本和性能。以NANDFlash产品为例，近些年来，随着集成电路技术不断推进，行业领跑企业凭借IDM模式下设计部门和制造部门的默契配合，已经完成了1xnm工艺存储芯片量产，降低了存储产品的单位成本，拓宽了存储产品的使用场景。在Fabless模式下，存储芯片设计公司为了提升产品制程，缩小与头部企业的差距，将会继续加深与晶圆代工厂的合作发展，双方共享研发能力、整合技术资源，形成标准的制造工艺流程，减少工艺对接的时间成本，提升存储芯片的流片良率与产品性能。
（2）行业规模巨大，差异化竞争形成细分市场机遇
近年来，存储芯片一直都是集成电路市场份额占比较大的类别产品，2019年存储芯片占全球集成电路市场规模的比例高达31.93%，成为全球集成电路市场销售份额占比最高的分支。
虽然存储芯片市场规模巨大，但整个市场呈现分化现象。三星电子、海力士、美光科技、铠侠等企业提供全面的存储产品，近年来专注研发大容量、高性能存储芯片，不断推进先进存储技术并凭借技术优势获取较高市场份额。行业其他企业由于各家处于的发展阶段不同，在以领先企业为目标进行技术赶超的同时，结合自身技术特点和市场需求，专注于成熟产品的细分市场并实现填补和替代效应，与行业领先企业形成差异化竞争，迎来了新的发展机遇。
（3）下游需求强劲，新兴行业崛起加速产业发展
国内集成电路产业快速发展，终端市场需求持续攀升，存储芯片作为消费电子、通讯设备、物联网等领域不可替代的功能器件，其在国内的市场销售规模亦呈现稳步上升的趋势。近年来随着科技创新技术的不断成熟和应用，5G通讯、汽车电子、可穿戴设备等新兴行业迎来快速发展，5G基站、ADAS、智能电子产品等终端产品持续涌现，其对文件处理、图像感知、代码执行等数据存储和执行能力的要求也在不断提升，因此存储芯片的数量、性能和成本未来将会有持续强劲的需求和不断迭代的要求。
新兴产业及新兴市场将形成对存储芯片旺盛的增量需求，存储芯片作为这些新应用中不可或缺的重要组成部分，将直接受益于日益增长的行业浪潮。
（4）紧跟国家战略，国产替代推动行业发展
2014年国务院首次发布集成电路的纲领性文件《国家集成电路产业发展推进纲要》，突出企业的主体地位，以需求为导向，以技术创新、模式创新和体制机制创新为动力，突破集成电路关键装备和材料瓶颈，推动产业整体提升，实现跨越式发展。随后我国各级政府出台了一系列政策，从资金支持、补贴奖励等方面吸引优秀企业、人才落户，进一步凸显国家对集成电路产业的重视，以打破国外在集成电路设计、制造等关键领域的垄断。
叠加近年中美在高科技领域间的贸易摩擦，由于国外厂商对国内市场的供给缩紧，国内集成电路市场需求急需具有先进产品技术和优质服务能力的国内企业填补，尤其是国内规模较大的终端品牌商为了保证经营稳定，加快本土供应链体系建设，进一步推动了我国存储芯片国产替代的进程。 |
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| 行业政策法规 | 《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》、《关于集成电路设计和软件产业企业所得税政策的公告》、《2018年国务院政府工作报告》、《2017年国务院政府工作报告》、《物联网“十三五”规划》、《战略性新兴产业重点品和服务指导目录》、《“十三五”国家信息化规划》、《关于印发国家规划布局内重点软件和集成电路设计领域的通知》（发改高技[2016]1056号）、《关于印发“十三五”国家科技创新规划的通知》、《“十三五”国家信息化规划》、《国家创新驱动发展战略纲要》、《中国制造2025》、《国家集成电路产业发展推进纲要》、《国务院关于促进信息消费扩大内需的若干意见》。 |
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| 公司发展战略 | 公司以“提供可靠高效的存储产品及设计方案”为使命，以“成为中国领先的存储芯片设计企业”为愿景，聚焦于存储芯片领域，为客户提供系列化的存储芯片产品与技术支持服务。未来公司将围绕自身的核心优势，结合内外部资源，以自主创新为驱动，不断提升核心技术，打造从多品类通用型向特色型产品延伸的发展路径，提升公司综合竞争力，矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。
公司未来三年的发展目标是通过持续的研发创新、制程升级和性能迭代，保持公司现有产品的性能领先和竞争优势；凭借多种类存储产品的优势，加大对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗健康等新兴领域的布局和开拓，提高公司产品的市场占有率，同步提升定制化产品及服务的能力；坚持以存储产品为核心，拓展智能化外延并以应用为导向，开发具有特色的存储产品，通过差异化提升盈利空间；持续开拓国内优质客户，服务行业重要客户，开始有计划、有步骤地拓展海外市场，提升公司在欧美的市场地位和影响力。 |
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| 公司经营计划 | 公司自设立以来一直从事存储芯片的设计和研发，通过不断技术创新保持了在业内的领先优势。未来，公司将不断推出适应市场需求的新技术、新产品，以保持和巩固公司现有的市场地位和竞争优势，具体规划如下：
1、公司拟在现有的存储芯片设计能力的基础上，将与中芯国际合作开发生产1xnmNANDFlash芯片，实现国内存储芯片先进制程技术的进一步突破，从而为将来设计更高容量、更具成本优势的产品打开空间，提供先进工艺制程的保障。
2、公司将聚焦高附加值产品，顺应汽车产业在智能网联功能的布局，大力发展在工艺技术、使用环境、抗振能力、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品的产业化目标。
3、公司将建设研发中心，研发存算一体化芯片、DTRNAND等前瞻性产品，积极布局前沿技术，增强技术和产品的持续创新能力，丰富和拓展公司未来的产品结构。
4、公司将凭借销售团队过去开拓海外市场的经验，进一步拓展海外市场，在欧美建立专门本地化销售团队，提升公司在当地的市场地位和影响力。 |
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| 公司资金需求 | 1xnm闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发中心建设项目、补充流动资金项目。 |
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| 可能面对风险 | 一、公司盈利波动较大且存在累计未弥补亏损的风险：
（一）盈利波动较大的风险；（二）公司存在累计未弥补亏损的风险
二、市场风险：
（一）宏观经济波动和行业周期性的风险；（二）国际贸易摩擦风险；（三）新冠肺炎疫情带来的风险；（四）公司产品市场规模较小、市场占有率进一步降低的风险
三、技术风险：
（一）研发团队风险；（二）技术升级导致产品迭代风险；（三）研发风险；（四）核心技术泄密风险
四、经营风险：
（一）技术水平与国际龙头厂商相比存在较大差距的风险；（二）重大客户经营不确定性及其与股东存在关联关系的风险；（三）委外加工及供应商集中度较高的风险；（四）产品质量的风险；（五）境外经营风险
五、公司规模扩大带来的管理风险
六、财务风险：
（一）应收账款回收风险；（二）存货跌价风险；（三）公司业绩波动的风险；（四）毛利率波动及低于行业可比公司的风险；（五）汇率波动的风险；（六）税收优惠政策变动风险；（七）非公司技术形成的收入占比较高的风险
七、子公司收入占比较高及其管理风险
八、实际控制权变化的风险
九、募集资金投资项目风险
十、发行失败风险
十一、股票价格波动风险 |
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| 股权激励 | 东芯股份2022年1月27日发布限制性股票激励计划，公司拟授予212.55万股限制性股票，其中首次向77名激励对象授予170.04万股，授予价格为21.13元/股；预留42.51万股。首次授予的限制性股票自首次授予日起满14个月后分三期解锁，解锁比例分别为40%、30%、30%。主要解锁条件为：以2021年的营业收入为基数，2022年至2024年营业收入复合增长率目标值均不低于25%。
东芯股份2023年4月14日发布限制性股票激励计划，公司拟授予500万股限制性股票，其中首次向117名激励对象授予401.7万股，授予价格为不低于22元/股；预留98.3万股。首次授予的限制性股票自首次授予日起满一年后分三期解锁，解锁比例分别为40%、30%、30%。主要解锁条件为：第一个归属期，以2022年的营业收入为基数，2023年营业收入同比增长率（Am）不低于25%。第二个归属期，以2023年营业收入为基数，2024年营业收入同比增长率（Am）不低于25%；或以2022年营业收入为基数，2024年营业收入复合增长率（Bm）不低于25%。第三个归属期，以2024年营业收入为基数，2025年营业收入同比增长率（Am）不低于25%；或以2022年营业收入为基数，2025年营业收入复合增长率（Bm）不低于25%。
东芯股份2024年4月20日发布限制性股票激励计划，公司拟授予342.6万股限制性股票，其中首次向135名激励对象授予327.5万股，授予价格为19.18元/股；预留15.1万股。首次授予的限制性股票自首次授予日起满一年后分三期解锁，解锁比例分别为40%、30%、30%。主要解锁条件为：第一个归属期，以2023年营业收入为基数，2024年营业收入同比增长率（Am）不低于25%。第二个归属期，以2024年营业收入为基数，2025年营业收入同比增长率（Am）不低于25%；或以2023年营业收入为基数，2025年营业收入复合增长率（Bm）不低于25%。第三个归属期，以2025年营业收入为基数，2026年营业收入同比增长率（Am）不低于25%；或以2023年营业收入为基数，2026年营业收入复合增长率（Bm）不低于25%。 |
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