| 公司简介 | 发行人前身沈阳拓荆科技有限公司成立于2010年4月28日，注册资本1,000万元；中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司、孙丽杰分别出资600万元、400万元，持有拓荆有限60%、40%的股权。拓荆科技股份有限公司于2021年1月8日召开创立大会，审议通过《关于沈阳拓荆科技有限公司整体变更为股份有限公司的议案》，以有限公司经天健会计师《审计报告》（天健审[2020]10046号）审计的截至2020年5月31日净资产账面值1,161,768,550.19元折为94,858,997股股份，每股面值1元，净资产超过注册资本的1,066,909,553.19元计入股份公司资本公积。2021年1月12日，拓荆有限完成整体变更设立为股份有限公司工商登记。因会计差错更正事项，2021年6月15日，发行人股东大会审议通过《关于确认对沈阳拓荆科技有限公司整体变更为股份有限公司时的净资产折股方案调整情况的议案》，对拓荆有限整体变更设立为发行人时的净资产折股方案进行调整，调整后发行人的股本总额仍为人民币94,858,997元。根据天健会计师事务所（特殊普通合伙）于2021年5月21日出具的《审计报告》（天健审[2021]7249号）、北京中企华资产评估有限责任公司于2021年5月21日出具的《追溯资产评估报告》，拓荆有限会计差错更正后的净资产账面值、评估值均高于折股数。公司系依照《公司法》和其他有关规定成立的股份有限公司。公可以沈阳拓荆科技有限公司整体变更万式设立；在沈阳市市场监督管理局注册登记，取得营业执照，依法从事经营活动。发行人信用代码为：912101005507946696。 |
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| 产品业务 | 拓荆科技主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。公司主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。 |
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| 经营模式 | 1、盈利模式
公司主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务，通过向下游集成电路制造企业、其他泛半导体行业企业和科研院所等客户，销售PECVD、ALD和SACVD设备并提供备品备件及技术服务来实现收入和利润。
2、研发模式
公司主要采用自主研发的模式。
3、采购模式
公司采购主要分为标准件采购和非标件采购。对于标准件采购，公司面向市场供应商进行直接采购。对于非标件采购，公司主要通过向供应商提供设计图纸、明确参数要求，由供应商自行采购原材料进行加工并完成定制；针对特定零部件，公司存在提供图纸及参数，并向供应商提供原材料，委托供应商完成定制化加工的情形。
4、生产模式
公司主要采用库存式生产和订单式生产相结合的生产模式。
5、销售和服务模式
公司以直销为主，结合少量经销的模式开展销售活动。 |
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| 行业地位 | 国产半导体薄膜沉积设备龙头企业 |
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| 核心竞争力 | （1）优秀的研发技术团队优势
拓荆科技已经建成了一支国际化、专业化的半导体薄膜沉积设备研发技术团队。公司创始团队以归国海外专家为核心，立足核心技术研发，积极引进海外高层次人才、自主培养本土科研团队。
公司国际化专业化的高级管理团队、全员持股的激励制度，吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业专家加入公司，在整机设计、工艺设计、软件设计等方面做出突出贡献。公司自设立以来，自主培养本土科研团队，随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。截至报告期末，公司研发人员共有189名，占公司员工总数的44.06%。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。
（2）技术积累及研发平台优势
拓荆科技自设立以来，坚持自主创新，形成了一系列独创性的设计，构建了完善的知识产权体系。截至2022年3月8日，拓荆科技累计已获授权的专利174项（境内153项，其他国家或地区21项），其中发明专利共计98项（境内77项，其他国家或地区21项）。
公司先后承担了“90-65nm等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”和“1xnm3DNANDPECVD研发及产业化”等4项国家重大科技专项/课题，已研发了支持不同工艺型号的PECVD、ALD和SACVD设备，在半导体薄膜沉积设备领域积累了多项研发及产业化的核心技术，构建了具有设备种类、工艺型号外延开发能力的研发平台。
（3）行业地位及客户资源优势
发行人以建立“世界领先的薄膜设备公司”为愿景，通过在薄膜沉积设备这一半导体核心设备细分领域的积累和快速发展，已经成为国内半导体设备行业的领军企业。公司分别于2016、2017、2019年获得中国半导体行业协会颁发的“中国半导体设备五强企业”称号。
公司的主要产品PECVD、ALD及SACVD设备已批量发往国内主要集成电路晶圆厂产线。此外，公司积极开拓国际市场机会，公司已与某国际领先晶圆厂建立业务联系，发货两台设备至客户先进制程研发产线，为打开国际市场奠定了基础。
（4）客户需求快速响应优势
公司针对客户提出的特定工艺材料、特定制造工序薄膜性能的快速响应能力可以及时满足客户产线的客制化设备需求。这对于中国本土客户近年来能够快速扩充产能极其重要，由此建立和巩固与客户稳定的合作关系。公司主要客户的生产基地位于中国大陆，相较于国际竞争对手，公司最高层管理和技术团队更贴近主要客户，能够提供更快捷、更经济的技术支持，及时保障和满足客户需求。
（5）运营成本优势
公司的主要竞争对手均位于美国和日本，服务中国大陆客户的成本较高。公司的研发和生产主要位于中国大陆，拥有区位优势。公司建立了全球化的采购体系，随着本土供应链的不断成熟，给予了公司更多的采购选择。在产品设计方面，公司通过与供应商密切合作，使产品具有模块化、易维护的特点，从而降低公司原材料采购成本。因此，拓荆科技相比其主要竞争对手在运营成本方面具有一定优势，随着产能的不断提升，降本优势将更加明显。 |
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| 竞争对手 | 应用材料（AMAT）、美国的泛林半导体（Lam）、日本的东京电子（TEL）、荷兰的先晶半导体（ASMI）。 |
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| 品牌/专利/经营权 | 截至2022年3月8日，公司已获授权专利174项（境内153项，其他国家或地区21项），其中发明专利98项（境内77项，其他国家或地区21项）。 |
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| 投资逻辑 | 国内半导体设备行业重要的领军企业之一。 |
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| 消费群体 | 集成电路制造企业、其他泛半导体行业企业和科研院所等客户。 |
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| 消费市场 | 中国大陆 |
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| 行业竞争格局 | 从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业呈现出高度垄断的竞争局面，行业基本由应用材料（AMAT）、ASMI、泛林半导体（Lam）、东京电子（TEL）等国际巨头垄断。2019年，ALD设备龙头东京电子（TEL）和先晶半导体（ASMI）分别占据了31%和29%的市场份额，剩下40%的份额由其他厂商占据；而应用材料（AMAT）则基本垄断了PVD市场，占85%的比重，处于绝对龙头地位；在CVD市场中，应用材料（AMAT）全球占比约为30%，连同泛林半导体（Lam）的21%和TEL的19%，三大厂商占据了全球70%的市场份额。 |
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| 行业发展趋势 | 1、薄膜沉积设备市场需求稳步增长
随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。MaximizeMarketResearch预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2020年的172亿美元扩大至340亿美元，保持年复合13.3%的增长速度。
根据中国国际招投标网公布的信息，长江存储、上海华力、华虹无锡、上海积塔、中芯绍兴、合肥晶合等中国本土晶圆厂正在加大设备采购力度。中国本土晶圆厂建厂的热潮将一同引领中国半导体薄膜沉积设备的需求增长。
2、芯片工艺进步及结构复杂化提高薄膜设备需求
在晶圆制造过程中，薄膜起到产生导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、临时阻挡刻蚀等重要作用。随着集成电路的持续发展，晶圆制造工艺不断走向精密化，芯片结构的复杂度也不断提高，需要在更微小的线宽上制造，制造商要求制备的薄膜品种随之增加，最终用户对薄膜性能的要求也日益提高。这一趋势对薄膜沉积设备产生了更高的技术要求，市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加。
3、先进产线对薄膜设备需求量陡增
随着产线的逐渐升级，晶圆厂对薄膜沉积设备数量和性能的需求将继续随之提升，在实现相同芯片制造产能的情况下，对薄膜沉积设备的需求量也将相应增加。
对比两种产线的设备需求数量，总体上看，越先进制程产线所需的薄膜沉积设备数量越多。先进制程使得晶圆制造的复杂度和工序量都大大提升，为保证产能，产线上需要更多的设备。
在FLASH存储芯片领域，随着主流制造工艺已由2DNAND发展为3DNAND结构，结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加。根据东京电子披露，薄膜沉积设备占FLASH芯片产线资本开支比例从2D时代的18%增长至3D时代的26%。随着3DNANDFLASH芯片的内部层数不断增高，对于薄膜沉积设备的需求提升的趋势亦将延续。
尽管全球半导体设备市场有较强的周期性，但中国大陆半导体产业正面临前所未有的发展机遇，国家战略聚焦，巨大市场支撑，产业链良性互动，产业资本日渐发力，大陆及国际资本投资的晶圆厂数量不断增加，制程更加先进，中国薄膜沉积设备行业将保持高成长性，未来中国市场的重要性将进一步提高。 |
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| 行业政策法规 | 《国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》、《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》、《关于集成电力生产企业有关企业所得税政策问题的通知》、《国家高新技术产业开发区“十三五”发展规划》。 |
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| 公司发展战略 | 公司未来将继续致力于高端半导体设备的研发生产，扩大现有设备市场占有率，提高公司设备的技术先进性，丰富公司设备种类，拓展技术应用领域，开发台湾市场。 |
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| 公司经营计划 | 1、持续研发投入，保持核心技术先进性
公司将持续对技术研发的投入，不断深化公司对基础理论和产品思路的认识，保持公司各项核心技术的先进性，提高公司对于新产品新工艺的设计能力。
2、开展先进制程、先进工艺产品研发及产能建设
公司将在现有产品基础上，开展配适10nm以下制程的PECVD产品研发；丰富ALD设备产品线，开发ThermalALD和大腔室PEALD；升级SACVD设备，研发12英寸满足28nm以下制程工艺需要的SACVD设备。公司计划利用募集资金扩大现有生产基地产能、新建贴近市场的研发生产基地，提高公司的研发条件和产能水平，提升公司在行业内的竞争力。
3、加强高端人才引进与内部人才梯队培养
公司将进一步完善人才引进计划，高端人才持续加入，推动公司在国际前沿技术和先进管理理念等方面保持竞争力。此外，公司为内部研发人员搭建技术交流平台，帮助研发人员有效拓展专业技术积累，提高研发设计能力和实际操作技能。通过研发、管理实践和务实高效的培训，积极培养内部技术、管理人才，构建坚实的人才梯队。
4、拓展新客户和现有客户的新需求
在新客户方面，公司将积极接触国内下游客户，拓宽公司产品对下游客户的销售覆盖。在现有客户方面，公司将积极关注客户新建产线或新工艺引入带来的新需求。基于公司与现有客户已建成的合作基础，通过提供性能参数优异、性价比突出及售后服务及时的产品，实现对现有客户新需求的销售，进一步提高公司市场份额。
5、拓展中国台湾市场
中国台湾是全球半导体产业的重要区域，分布着台积电、联电等多家技术水平领先的晶圆制造厂商，是仅次于中国大陆的半导体设备市场。公司将着力推进先进制程研发产线、试产线设备验证，推动相关设备实现销售，并以此为突破口，积极拓展更多中国台湾地区客户，扩大公司产品在全球市场的占有率。 |
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| 公司资金需求 | 高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目、补充流动资金。 |
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| 可能面对风险 | 一、技术风险
（一）技术人员流失及无法持续引入高端技术人才的风险；（二）技术创新风险；（三）核心技术失密风险
二、经营风险：
（一）收入依赖PECVD系列产品，ALD产品及SACVD产品尚未得到大规模验证的风险；（二）Demo机台无法实现最终销售的风险；（三）市场竞争风险；（四）客户相对集中的风险；（五）国际贸易摩擦加剧影响公司供应链安全的风险；（六）收入实现受下游晶圆厂投资周期影响较大
三、财务风险：
（一）扣除非经常性损益后尚未盈利及持续亏损的风险；（二）产品验收周期较长风险；（三）毛利率水平波动的风险；（四）应收账款回收的风险；（五）存货跌价风险；（六）经营活动现金流量净额波动的风险；（七）收入季节性波动风险；（八）政府补助政策变动风险；（九）税收优惠风险
四、内控风险：
（一）无控股股东及实际控制人风险；（二）管理水平未能适应规模扩张的需要
五、知识产权争议风险
六、其他风险：
（一）新冠肺炎疫情对公司生产经营的影响；（二）预测性陈述存在不确定性的风险 |
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| 股权激励 | 拓荆科技2022年9月30日发布股票增值权和限制性股票激励计划，1）股票增值权方面，公司拟向3名激励对象授予40万份股票增值权，行权价格为105元/股。2）限制性股票方面，公司拟向517名激励对象授予280万股限制性股票，授予价格为105元/股。本次授予的股票增值权/限制性股票自授予日起满一年后分四期行权/解锁，行权/解锁比例分别为25%、25%、25%、25%。主要行权/解锁条件为：2022-2025四个会计年度，营业收入增长率分别不低于100%、200%、300%、400%；净利润增长率分别不低于270%、490%、700%、900%。
拓荆科技2023年10月28日发布限制性股票激励计划，公司拟授予不超过375万股限制性股票，其中首次向不超过701名激励对象授予不超过300万股，授予价格为140元/股；预留75万股。首次授予的限制性股票自首次授予日起满18个月后分三期解锁，解锁比例分别为40%、30%、30%。主要解锁条件为：以公司2022年营业收入为基数，2024-2026年营业收入增长率分别不低于95%、160%、210%；以2022年净利润为基数，2024-2026年净利润增长率分别不低于106%、159%、211%。 |
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